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2DI150D050 发布时间 时间:2025/8/8 19:50:22 查看 阅读:10

2DI150D050 是一款由 STMicroelectronics 生产的双路 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于高功率电子设备中。该器件采用了先进的沟槽式技术,提供了较低的导通电阻(Rds(on))和较高的电流承载能力,使其在开关应用中表现出色。2DI150D050 的封装形式通常为 TO-220 或 TO-247,适用于各种功率转换器、电机驱动器和电源管理系统。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏极电流(ID):150A(最大值)
  漏极-源极电压(VDS):50V(最大值)
  栅极-源极电压(VGS):±20V(最大值)
  导通电阻(Rds(on)):0.050Ω(最大值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220 或 TO-247

特性

2DI150D050 具有以下主要特性:
  首先,该器件的导通电阻非常低,仅为 0.050Ω,这意味着在高电流条件下,功率损耗将显著降低,从而提高整体系统的效率。这对于需要高功率密度和高效能的电源管理系统尤为重要。
  其次,2DI150D050 的最大漏极电流为 150A,能够承受较大的瞬时电流,适用于高功率负载的应用场景。此外,该器件的漏极-源极电压最大为 50V,适用于中等电压级别的功率转换应用。
  该 MOSFET 还具有较高的热稳定性,其工作温度范围从 -55°C 到 +175°C,能够在极端温度环境下稳定工作。这种宽温度范围的特性使得 2DI150D050 适用于各种工业和汽车电子系统。
  2DI150D050 的封装形式为 TO-220 或 TO-247,这种封装设计不仅提供了良好的散热性能,还便于在 PCB 上安装和焊接。TO-220 封装通常用于中等功率应用,而 TO-247 封装则适用于更高功率的应用场景。
  此外,该器件的栅极-源极电压范围为 ±20V,这意味着其栅极驱动电路设计相对简单,且能够与多种驱动器兼容。这种特性使得 2DI150D050 在开关应用中具有较高的灵活性和可靠性。
  最后,2DI150D050 的设计采用了先进的沟槽式技术,使得其在高频率开关应用中表现出色。这种技术不仅提高了器件的开关速度,还降低了开关损耗,从而进一步提升了系统的整体效率。

应用

2DI150D050 主要应用于以下领域:
  首先,在电源管理系统中,2DI150D050 被广泛用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块。由于其低导通电阻和高电流承载能力,该器件能够在高功率条件下提供高效的能量转换,从而提高电源系统的整体效率。
  其次,2DI150D050 适用于电机驱动器和电动工具中的功率开关应用。其高电流承载能力和良好的热稳定性使得该器件能够在高负载条件下稳定工作,确保电机驱动系统的可靠性和耐用性。
  此外,该器件还常用于汽车电子系统中的功率管理模块。例如,在电动汽车的电池管理系统中,2DI150D050 可用于控制电池的充放电过程,确保电池组的安全运行。
  在工业自动化领域,2DI150D050 也被广泛应用于各种高功率开关和继电器替代应用。其高开关速度和低损耗特性使得该器件能够满足工业控制系统对高可靠性和高效率的需求。
  最后,2DI150D050 还可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。其高效的能量转换能力和良好的热稳定性使得该器件能够在恶劣的环境条件下稳定工作,确保系统的长期可靠运行。

替代型号

STP150N5F06, IRF150

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