时间：2025/9/14 9:51:24
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PMV45EN2VL是一款由Nexperia（原Philips Semiconductors）制造的增强型功率MOSFET晶体管。该器件设计用于高效率、低功耗的电源管理系统，适用于各种消费类电子产品和工业控制设备。PMV45EN2VL采用双栅极结构和先进的沟槽技术，以提供优异的开关性能和导通损耗特性。该MOSFET是一款N沟道增强型器件，能够在较高的频率下运行，同时保持较低的开关损耗。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：2.6A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.125Ω @ Vgs = 10V
栅极电荷（Qg）：14nC
封装类型：TSOP
工作温度范围：-55°C 至 150°C
PMV45EN2VL MOSFET具有低导通电阻的特性，这使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗。其双栅极结构和先进的沟槽技术确保了良好的开关性能，减少了开关损耗，并提高了整体效率。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。PMV45EN2VL还具备较高的抗雪崩能力，能够承受瞬态过压和过流条件，从而提高系统的可靠性和耐用性。由于其TSOP封装形式，该器件在PCB上的安装更加紧凑，适合高密度设计应用。
PMV45EN2VL广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制以及各类工业自动化设备中。其低导通电阻和高开关频率特性使其成为高效能、小型化电源设计的理想选择。此外，该MOSFET也常用于LED照明驱动电路、电源适配器和便携式电子设备的电源管理模块中。在汽车电子系统中，如车载充电器和电动助力转向系统，该器件也表现出色，能够满足高可靠性和长寿命的要求。
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