TQP887051 时间：2025/5/8 16:53:55 阅读：6

TQP887051 是一种高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的制程技术，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低系统功耗并提高效率。
　　TQP887051 属于 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式通常为紧凑型表面贴装器件（SMD），适合高密度电路板设计。通过优化的芯片设计和封装工艺，该器件能够在高温环境下保持稳定性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：51A
　　导通电阻：1.4mΩ
　　栅极电荷：35nC
　　开关时间：典型值 10ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

TQP887051 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提升整体效率。
　　2. 高电流承载能力，支持大功率应用。
　　3. 快速开关速度，降低开关损耗，特别适合高频应用。
　　4. 优秀的热稳定性，能够在极端温度条件下正常运行。
　　5. 小型化封装，节省 PCB 空间。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　7. 内置 ESD 保护，提高可靠性。

应用

TQP887051 广泛应用于各种电力电子领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC 转换器中作为高端或低端开关使用。
　　3. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　4. 负载开关和保护电路中的快速切换元件。
　　5. 工业设备和汽车电子中的高可靠性功率管理解决方案。
　　6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。