时间：2025/8/6 11:54:08
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IXFN26N100P是一款由Littelfuse公司生产的N沟道功率MOSFET，专为高功率、高频应用设计。这款MOSFET采用先进的技术，提供了卓越的性能和可靠性，适用于各种电源转换和功率控制电路。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：26A
导通电阻(Rds(on))：典型值为35mΩ
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
IXFN26N100P具有低导通电阻，使得在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力和大电流容量使其适用于高功率密度设计。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。该MOSFET的封装设计有助于有效的热管理，确保在高温环境下稳定运行。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，增强了器件在严苛环境下的耐用性。其高可靠性使其成为工业、汽车和消费类电子产品的理想选择。
IXFN26N100P广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统和汽车电子系统。其优异的性能也使其适用于工业自动化设备、电源适配器以及高功率LED照明系统。
IXYS IXFN26N100P的替代型号包括STMicroelectronics的STP26NM100Z和Infineon Technologies的IPD26N100C5。这些型号在参数性能和封装形式上与IXFN26N100P相似，可以作为替代选择。
