IXFN24N100 时间：2025/8/6 13:04:26 阅读：11

IXFN24N100是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场合。这款器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于如电源转换器、电机控制、UPS系统和焊接设备等工业级高功率电子系统。IXFN24N100采用了TO-247封装，这种封装形式具有良好的散热能力和机械稳定性，适合高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：1000V
　　连续漏极电流(Id)：24A（在Tc=25℃时）
　　脉冲漏极电流(Idm)：96A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.36Ω
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-247

特性

IXFN24N100的主要特性包括其高电压和高电流能力，这使其适用于要求苛刻的功率电子应用。该器件的导通电阻较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，IXFN24N100具有快速的开关速度，这使得它在高频开关应用中表现良好，例如在DC-DC转换器和逆变器中。其高栅极电荷（Qg）设计确保了在高电压和高电流下依然保持良好的开关性能。TO-247封装提供了优良的热管理，能够有效地将热量从芯片传导到散热器，从而延长器件的使用寿命。
　　该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流而不损坏，这对于保护电路在异常情况下至关重要。同时，IXFN24N100具有高雪崩能量耐受性，能够承受瞬时的高电压冲击，提高器件在严苛环境下的可靠性。这些特性使得IXFN24N100在工业控制、电源管理和电机驱动等领域具有广泛的应用前景。

应用

IXFN24N100广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中。典型的应用包括高频开关电源、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机控制器、焊接设备、逆变器以及各种工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高可靠性和良好的热管理能力，IXFN24N100也常用于需要长时间稳定运行的电力电子系统中。