时间：2025/11/12 20:54:38
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CL31C221JHFNNNE 是由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于X7R介电材质系列，具有良好的温度稳定性和较高的电容值密度，广泛应用于各类消费电子、工业控制及通信设备中。该型号的封装尺寸为0603（英制），即公制1608，适合高密度贴装需求。其额定电容为220pF，公差为±5%（代号J），额定电压为50V DC。CL31C221JHFNNNE采用镍阻挡层电极结构（Ni-barrier），具备较强的抗硫化能力，适用于在恶劣环境（如高温、高湿或含硫气氛）中长期稳定运行的电子系统。该产品符合RoHS环保要求，并通过了AEC-Q200等可靠性认证，可用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。三星电机作为全球领先的MLCC供应商，其CL系列电容器以高可靠性和一致性著称，在自动化贴片生产和长期服役中表现出色。
电容：220pF
容差：±5%
额定电压：50V DC
介电材料：X7R
温度特性：±15% @ -55°C 至 +125°C
封装尺寸：0603（1608 公制）
电极结构：Ni-barrier（抗硫化）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
产品系列：CL31C
制造商：Samsung Electro-Mechanics
包装形式：卷带（Tape and Reel）
符合标准：RoHS、AEC-Q200（部分等级）
CL31C221JHFNNNE 采用先进的多层陶瓷制造工艺，确保了器件在各种电气和环境条件下的稳定性与可靠性。其核心介电材料为X7R，这是一种铁电介质，能够在宽温度范围内（-55°C 至 +125°C）保持电容值变化不超过±15%，非常适合用于需要温度补偿但又不追求极高精度的应用场景。相比C0G/NP0类电容器，X7R材料能提供更高的体积效率，即在相同封装下实现更大的电容值，因此在空间受限的设计中尤为受欢迎。
该器件的电极采用镍阻挡层技术（Ni-barrier），这是三星电机的一项关键技术，可有效防止外部硫元素渗透至内部银电极，从而避免因硫化导致的开路失效。这一特性使其特别适用于汽车电子、户外通信模块、工业传感器等可能暴露于含硫环境的应用场合。此外，Ni-barrier结构还提升了焊接耐热性，支持多次回流焊工艺，适应复杂的PCB组装流程。
CL31C221JHFNNNE 的0603小型化封装（1.6mm × 0.8mm）满足现代电子产品对轻薄短小的需求，同时具备良好的机械强度和热循环耐久性。其50V额定电压高于一般信号线路的工作电平，提供了充足的安全裕度，适用于电源滤波、去耦、耦合、旁路以及RF电路中的阻抗匹配等用途。器件具有低等效串联电阻（ESR）和较低的等效串联电感（ESL），有助于提升高频响应性能，减少噪声干扰。
该产品在出厂前经过严格的老化测试和电性能筛选，确保批次一致性高，失效率低。同时，由于来自大规模自动化生产线，其供应稳定性强，适合大批量使用。三星电机提供的详细规格书和技术支持文档也为设计工程师提供了便利，便于进行SPICE仿真、热分析和可靠性评估。
CL31C221JHFNNNE 广泛应用于多种电子系统中，尤其适合对可靠性和环境适应性有较高要求的场合。在汽车电子领域，它常用于发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块以及车身控制模块中的去耦和滤波电路，得益于其AEC-Q200认证和抗硫化特性，能够在发动机舱等高温、高湿、含硫环境中稳定工作。
在工业控制系统中，该电容器可用于PLC模块、变频器、工控仪表的电源管理单元，用于稳定供电电压、抑制电磁干扰（EMI）以及提高系统抗扰度。其宽温特性和长期稳定性确保设备在极端气候条件下仍能正常运行。
在通信设备方面，CL31C221JHFNNNE 可用于基站射频前端、光模块、路由器和交换机的信号耦合与旁路电路，支持GHz以下频段的信号处理，帮助维持信号完整性。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，该器件也常见于DC-DC转换器输出滤波、音频放大器耦合、MCU电源引脚去耦等位置，发挥其小尺寸、高性能的优势。
由于其50V耐压和220pF的适中电容值，该器件还可用于定时电路、振荡器补偿、ADC参考电压滤波等模拟电路中，提供稳定的电容特性。总体而言，CL31C221JHFNNNE 是一款通用性强、可靠性高的MLCC，适用于从民用到工业再到汽车级的广泛应用场景。
GRM188R71H221KA01D
C1608X7R1H221K
CL21C221JHANNNC
TC-321C221J50V
