IXFN240N25X3 时间：2025/8/6 1:44:47 阅读：14

IXFN240N25X3 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Corporation）生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET。该器件专为高压、高电流应用设计，适用于电源转换、电机控制、工业自动化和可再生能源系统等场景。该 MOSFET 采用 TO-264 封装，具有优异的导通性能和热管理能力，适用于高效率功率转换器和逆变器设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：240 A
　　最大漏-源电压（VDS）：250 V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 10.5 mΩ
　　封装类型：TO-264
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　最大耗散功率（PD）：1000 W

特性

IXFN240N25X3 采用了先进的平面 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力和高耐压特性使其非常适合用于高功率密度应用。此外，该器件具备出色的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定的性能。
　　该 MOSFET 的 TO-264 封装设计优化了散热性能，便于安装在散热器上，提升整体热管理效率。器件还具备较高的短路耐受能力，增强了系统在极端工作条件下的可靠性。
　　在驱动特性方面，IXFN240N25X3 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的效率。该器件的快速开关特性也适用于高频功率转换应用，如 DC-DC 转换器、谐振变换器和同步整流器。

应用

IXFN240N25X3 主要应用于高功率电子设备中，包括工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电机驱动器、电焊机、电池管理系统（BMS）以及大功率 DC-DC 转换器等。其高电流和高耐压特性使其成为用于高效率功率转换和控制系统的理想选择。此外，该器件也可用于汽车电子系统、能源管理系统以及智能电网设备。