IXFN17N80 时间：2025/8/6 5:18:58 阅读：23

IXFN17N80是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。这款MOSFET设计用于高电压、高电流的应用场景，具备优良的热稳定性和导通特性。IXFN17N80通常用于电源转换、电机控制、逆变器和工业自动化等需要高效能功率开关的领域。该器件采用TO-247封装形式，具有较低的导通电阻，并能够在高电压条件下保持稳定的性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800V
　　最大漏极电流（Id）：17A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.42Ω（最大）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3V ~ 5V
　　最大栅极电压：±30V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFN17N80具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。首先，其高漏源电压（800V）允许在高压环境中稳定运行，适合用于高压电源转换器和逆变器。其次，低导通电阻（0.42Ω）减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。此外，该MOSFET具有良好的热性能，能够在较高温度下正常工作，增强了系统的可靠性。
　　其栅极驱动要求较低，栅极阈值电压范围在3V至5V之间，使得与标准逻辑电路的兼容性良好。该器件的封装形式为TO-247，这种封装提供了良好的散热能力，并且便于安装在散热片上，以增强散热效果。IXFN17N80还具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，在高频应用中表现良好。
　　另外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定程度的保护，避免器件损坏。这对于需要承受高能瞬变的工业设备来说尤为重要。

应用

IXFN17N80广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高电压和较高电流控制的场合。例如，在电源供应器中，它常用于PFC（功率因数校正）电路或DC-DC转换器，以提高电源效率和稳定性。在电机驱动器和变频器中，该MOSFET可用于控制电机的运行状态，实现高效能的调速和节能效果。
　　该器件也适用于太阳能逆变器系统，作为直流侧到交流侧的能量转换开关。此外，IXFN17N80还可用于焊接设备、不间断电源（UPS）系统、电动汽车充电器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。由于其良好的热性能和高耐压特性，它在高温和高压环境下依然能够稳定运行。