GA1210Y183MXLAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
其封装形式为 LAR31G,适用于高密度设计环境,并支持表面贴装技术(SMT),从而简化了生产流程并提高了可靠性。
型号:GA1210Y183MXLAR31G
类型:N沟道功率 MOSFET
最大漏源电压(Vds):120 V
最大栅源电压(Vgs):±20 V
连续漏极电流(Id):35 A
导通电阻(Rds(on)):4.5 mΩ
栅极电荷(Qg):70 nC
总功耗(Ptot):230 W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装:LAR31G
GA1210Y183MXLAR31G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),仅为 4.5 mΩ,这显著降低了传导损耗,从而提升了整体效率。
2. 高速开关能力,栅极电荷 Qg 仅为 70 nC,确保快速切换状态以减少开关损耗。
3. 大漏极电流容量 Id 达到 35 A,适合大功率应用需求。
4. 宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境。
5. 表面贴装封装 LAR31G,便于自动化生产和提高电路板空间利用率。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动中的逆变桥臂或斩波控制。
3. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
4. 可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的功率转换模块。
5. 各类工业设备和消费电子产品的电源管理单元。
GA1210Y183MXLAR31G-A, GA1210Y183MXLAR31G-B