您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y183MXLAR31G

GA1210Y183MXLAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:45:11 查看 阅读:6

GA1210Y183MXLAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
  其封装形式为 LAR31G,适用于高密度设计环境,并支持表面贴装技术(SMT),从而简化了生产流程并提高了可靠性。

参数

型号:GA1210Y183MXLAR31G
  类型:N沟道功率 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120 V
  最大栅源电压(Vgs):±20 V
  连续漏极电流(Id):35 A
  导通电阻(Rds(on)):4.5 mΩ
  栅极电荷(Qg):70 nC
  总功耗(Ptot):230 W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装:LAR31G

特性

GA1210Y183MXLAR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),仅为 4.5 mΩ,这显著降低了传导损耗,从而提升了整体效率。
  2. 高速开关能力,栅极电荷 Qg 仅为 70 nC,确保快速切换状态以减少开关损耗。
  3. 大漏极电流容量 Id 达到 35 A,适合大功率应用需求。
  4. 宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境。
  5. 表面贴装封装 LAR31G,便于自动化生产和提高电路板空间利用率。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中作为主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动中的逆变桥臂或斩波控制。
  3. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
  4. 可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的功率转换模块。
  5. 各类工业设备和消费电子产品的电源管理单元。

替代型号

GA1210Y183MXLAR31G-A, GA1210Y183MXLAR31G-B

GA1210Y183MXLAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-