IXFN170N30P是一款由Littelfuse(原IXYS)生产的高功率N沟道MOSFET,广泛用于需要高效能、高可靠性的工业和电源管理系统。该MOSFET设计用于在高电压和高电流环境下提供优异的性能。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):300V
最大漏极电流(Id):170A
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大功耗(Pd):310W
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装类型:TO-247
IXFN170N30P采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供较低的导通电阻(Rds(on))和更高的电流处理能力,从而减少功率损耗和提高效率。此外,该器件具有良好的热稳定性和高温工作能力,适合用于高功率密度设计。其增强型结构可确保在恶劣环境下的稳定运行,并提供快速的开关特性以减少开关损耗。
该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力,能够在过载或瞬态条件下保持稳定工作,提高系统的可靠性和耐用性。此外,TO-247封装形式提供了良好的散热性能,便于安装在散热器上以提高热管理效率。
IXFN170N30P适用于多种高功率应用,包括但不限于:
- 开关电源(SMPS)
- 逆变器和UPS系统
- 电机控制和驱动器
- 焊接设备
- 电池充电系统
- 太阳能逆变器和储能系统
IXFN180N30P, IXFN160N30P