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IXFN170N30P 发布时间 时间:2025/8/6 9:49:29 查看 阅读:14

IXFN170N30P是一款由Littelfuse(原IXYS)生产的高功率N沟道MOSFET,广泛用于需要高效能、高可靠性的工业和电源管理系统。该MOSFET设计用于在高电压和高电流环境下提供优异的性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):300V
  最大漏极电流(Id):170A
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大功耗(Pd):310W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-247

特性

IXFN170N30P采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供较低的导通电阻(Rds(on))和更高的电流处理能力,从而减少功率损耗和提高效率。此外,该器件具有良好的热稳定性和高温工作能力,适合用于高功率密度设计。其增强型结构可确保在恶劣环境下的稳定运行,并提供快速的开关特性以减少开关损耗。
  该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力,能够在过载或瞬态条件下保持稳定工作,提高系统的可靠性和耐用性。此外,TO-247封装形式提供了良好的散热性能,便于安装在散热器上以提高热管理效率。

应用

IXFN170N30P适用于多种高功率应用,包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)
  - 逆变器和UPS系统
  - 电机控制和驱动器
  - 焊接设备
  - 电池充电系统
  - 太阳能逆变器和储能系统

替代型号

IXFN180N30P, IXFN160N30P

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IXFN170N30P参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列Polar™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C138A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 85A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs258nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds20000pF @ 25V
  • 功率 - 最大890W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件