时间：2025/5/22 22:34:12
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MTD1N60ET4 是一款由 Microchip 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种高效能电源管理应用。其额定电压为 600V，适用于需要高压支持的应用场景。
该芯片广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器和逆变器等电路中，能够显著提高系统的效率和可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：1.2A
导通电阻（典型值）：3.5Ω
栅极电荷：15nC
总电容：250pF
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
1. 高电压能力：600V 的耐压等级确保了其在高压环境下的稳定性。
2. 低导通电阻：导通电阻仅为 3.5Ω，可降低功率损耗并提升系统效率。
3. 快速开关性能：具有较低的栅极电荷和快速开关时间，减少了开关损耗。
4. 热稳定性：具备良好的热特性和较高的结温范围，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
5. 小封装尺寸：采用紧凑型封装设计，节省了 PCB 空间，适合对空间有严格要求的设计。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动器
4. 工业逆变器
5. 家电中的高压控制电路
6. LED 驱动电路
7. 充电器和适配器
MTD1N60E4, IRF840, STP12NF60
