IXFN140N25T 时间：2025/8/6 7:54:42 阅读：16

IXFN140N25T是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于如电源转换、电机控制、逆变器和UPS系统等需要高效能功率管理的场合。IXFN140N25T采用TO-247封装，便于散热和安装，能够在较高的工作温度下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：250V
　　连续漏极电流（Id）：140A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为8.5mΩ（典型值为7.5mΩ）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约4V至6V
　　功率耗散（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFN140N25T具有多项优良的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。该特性对于高电流应用尤为重要，因为它可以减少发热并提高能源利用率。
　　其次，该MOSFET具有高耐压能力（250V），能够在高压环境中稳定工作，适用于多种高功率电源转换系统。其高电流承载能力（140A）也使得该器件在需要大电流负载的应用中表现出色，例如电机驱动和逆变器系统。
　　此外，IXFN140N25T采用了TO-247封装，这种封装形式具有良好的热管理性能，能够有效地将热量从芯片传导出去，从而确保器件在高负载条件下的稳定性。封装的结构也便于安装在散热器上，进一步提高散热效率。
　　该器件的工作温度范围较宽（-55°C至+150°C），使其适用于各种严苛的工业和电力电子环境。无论是在高温还是低温条件下，IXFN140N25T都能够保持稳定运行，确保系统的可靠性。
　　最后，该MOSFET的栅极阈值电压范围适中（4V至6V），可以与常见的驱动电路兼容，简化了控制电路的设计，并提高了整体系统的响应速度和可控性。

应用

IXFN140N25T广泛应用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高效能功率开关的场合。常见应用包括电源转换器（如DC-DC转换器和AC-DC电源）、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动器、逆变器以及工业自动化设备中的功率管理模块。
　　在电源转换系统中，IXFN140N25T的高电流和低导通电阻特性使其成为理想的开关元件，有助于提高转换效率并减少热量产生。在UPS系统中，该MOSFET可用于高频逆变器电路，以实现高效的电能转换和稳定的输出电压。
　　在电机控制应用中，IXFN140N25T可以作为H桥电路中的开关器件，用于控制电机的正反转和调速。由于其高电流承载能力，它能够在大功率电机驱动中提供稳定的性能。
　　此外，该器件也适用于太阳能逆变器和储能系统，用于实现高效的能量转换和管理。由于其优异的热性能和高可靠性，IXFN140N25T能够在恶劣的工业环境中长期稳定运行。