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IXFM24N50 发布时间 时间:2025/7/26 1:01:22 查看 阅读:3

IXFM24N50 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于高功率应用。该器件采用 TO-247 封装,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。IXFM24N50 通常用于电源转换器、电机控制、UPS(不间断电源)、DC-DC 转换器和逆变器等应用中。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流(ID):24A
  最大漏源电压(VDS):500V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):0.21Ω @ VGS = 10V
  栅极电荷(Qg):67nC
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXFM24N50 MOSFET 提供了多项优异的电气和热性能。其低导通电阻(RDS(on))可减少导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有高击穿电压能力(500V),适用于高压应用。TO-247 封装设计有助于提高散热性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该 MOSFET 的栅极电荷较低,有助于提高开关速度并减少开关损耗。
  在可靠性方面,IXFM24N50 具有良好的短路耐受能力和热稳定性,能够在极端工作条件下提供稳定的性能。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±30V),使其兼容多种驱动电路设计。IXFM24N50 还具备低漏电流特性,在关断状态下能够有效减少静态功耗,提高系统的整体能效。

应用

IXFM24N50 主要用于各种高功率电子设备中,包括但不限于:电源转换器(如 AC-DC 和 DC-DC 转换器)、电机驱动和控制电路、UPS(不间断电源)系统、工业自动化设备、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备。在这些应用中,IXFM24N50 能够提供高效的功率转换和可靠的开关性能,满足现代电力电子设备对高效率、高可靠性和高性能的要求。

替代型号

IRF840、IRFP460、FDPF24N50、STF24N50

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IXFM24N50参数

  • 标准包装20
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C230 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs160nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4200pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳TO-204AA,TO-3
  • 供应商设备封装TO-204AA
  • 包装管件