IXFM24N50 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于高功率应用。该器件采用 TO-247 封装,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。IXFM24N50 通常用于电源转换器、电机控制、UPS(不间断电源)、DC-DC 转换器和逆变器等应用中。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流(ID):24A
最大漏源电压(VDS):500V
最大栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):0.21Ω @ VGS = 10V
栅极电荷(Qg):67nC
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
IXFM24N50 MOSFET 提供了多项优异的电气和热性能。其低导通电阻(RDS(on))可减少导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有高击穿电压能力(500V),适用于高压应用。TO-247 封装设计有助于提高散热性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该 MOSFET 的栅极电荷较低,有助于提高开关速度并减少开关损耗。
在可靠性方面,IXFM24N50 具有良好的短路耐受能力和热稳定性,能够在极端工作条件下提供稳定的性能。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±30V),使其兼容多种驱动电路设计。IXFM24N50 还具备低漏电流特性,在关断状态下能够有效减少静态功耗,提高系统的整体能效。
IXFM24N50 主要用于各种高功率电子设备中,包括但不限于:电源转换器(如 AC-DC 和 DC-DC 转换器)、电机驱动和控制电路、UPS(不间断电源)系统、工业自动化设备、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备。在这些应用中,IXFM24N50 能够提供高效的功率转换和可靠的开关性能,满足现代电力电子设备对高效率、高可靠性和高性能的要求。
IRF840、IRFP460、FDPF24N50、STF24N50