类型：HEMT射频晶体管
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作频率：最高可达12 GHz
　　增益：典型值为10 dB（在12 GHz）
　　噪声系数：典型值为0.85 dB（在12 GHz）
　　输出功率：典型值为100 mW（在12 GHz）
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　工作电压：+3.5V 至 +5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

SNP-G129-MA 射频晶体管采用先进的HEMT工艺制造，具有低噪声和高增益的特性，非常适合用于高频率信号放大。该器件的工作频率范围覆盖至12 GHz，使其适用于X波段和Ku波段的通信系统。
　　此外，SNP-G129-MA 具有良好的线性度和稳定性，在不同工作条件下都能提供可靠的性能。其表面贴装封装设计有助于简化PCB布局，提高装配效率，并具备良好的热管理和高频响应能力。
　　此晶体管的供电电压范围为+3.5V至+5.5V，使其兼容多种电源管理系统。同时，它的工作温度范围较宽（-40°C至+85°C），适用于各种环境条件下的应用，包括工业和户外通信设备。

SNP-G129-MA 主要用于高性能射频接收器和发射器中的前置放大器或驱动放大器。它广泛应用于微波通信、卫星通信、雷达系统、无线基站和测试测量仪器等领域。
　　由于其低噪声和高增益特性，该晶体管常被用于接收器前端，以提高信号的灵敏度和质量。同时，其高线性度也使其适用于需要高信号保真度的通信系统，如点对点微波链路和宽带无线接入设备。
　　此外，SNP-G129-MA 还可用于功率放大器的驱动级，提供稳定的信号输出，确保系统的整体性能。

NEC SNP-G129-MB、Avago ATF-54143、Analog Devices HMC414