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2SK3772-01 发布时间 时间:2025/8/9 8:26:16 查看 阅读:28

2SK3772-01是一款由东芝公司生产的N沟道MOSFET,适用于高频和高速开关应用。该MOSFET设计用于需要高效率和低导通电阻的电源管理应用,例如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。其封装形式为SOP(小外形封装),具有较小的封装尺寸,适合高密度电路设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:20A
  最大漏极-源极电压:30V
  导通电阻(Rds(on)):0.018Ω
  栅极-源极电压范围:±20V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOP
  最大功耗:40W

特性

2SK3772-01具有非常低的导通电阻,使得在高电流条件下导通损耗显著降低,从而提高了整体系统的效率。其高频率响应能力使其非常适合用于高频开关电路,有助于减小外部滤波元件的尺寸并提升系统性能。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽,能够在多种电源管理环境中稳定工作。器件的封装设计有助于良好的热管理和散热性能,确保在高功率操作下仍能维持较低的温度。该MOSFET还具有良好的抗静电性能和可靠性,适合在复杂电磁环境中使用。

应用

2SK3772-01适用于多种电源管理应用,包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统以及电源分配系统。此外,其高频性能使其适用于射频功率放大器和其他高频电子设备。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF7413PBF

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2SK3772-01参数

  • 晶体管极性:?频道
  • 电流, Id 连续:32A
  • 电压, Vds 最大:300V
  • 在电阻RDS(上):130mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 功耗, Pd:270W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • 功率, Pd:270W
  • 功耗:270W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:597.4mJ
  • 封装类型:TO-220AB
  • 引脚节距:5.45mm
  • 总功率, Ptot:270W
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极电流, Id 最大值:32A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:300V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 电流, Idm 脉冲:128A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 重复雪崩电流, Iar:32A
  • 阈值电压, Vgs th 最低:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:5V