时间：2025/8/5 13:07:15
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IXFK80N10Q是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率密度和高效能转换系统。该器件具有低导通电阻、高电流容量和优良的热性能，适合在电源转换、电机控制和逆变器等应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：最大8.2mΩ（在VGS=10V时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V至4.0V
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247AC
IXFK80N10Q的主要特性包括优异的导通性能和开关性能，这得益于其先进的Trench沟道技术和优化的封装设计。该器件具有较低的导通电阻，减少了功率损耗，提高了效率。同时，它还具有较高的雪崩能量耐受能力和过热保护能力，确保在高负载和恶劣工作条件下的稳定运行。此外，TO-247AC封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。
该MOSFET还具有快速的开关速度，适用于高频开关电路，从而减小了外围元件的尺寸并提高了系统效率。其栅极驱动要求较低，能够与多种控制IC直接接口，简化了驱动电路的设计。IXFK80N10Q还具有良好的并联能力，可以用于多器件并联以实现更高的电流处理能力。
IXFK80N10Q广泛应用于各类电力电子系统中，包括DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、逆变器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、电池充电器以及工业自动化控制系统。由于其高电流能力和低导通电阻，它在需要高效率和高可靠性的电源管理系统中尤为适用。
IXFK80N10Q的替代型号包括IXFK80N10P、IXFN80N10Q、IRFP4468、SiR882DP-T1-GE3
