时间：2025/9/14 14:15:07
阅读：4
BUK765R2-40B,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高效率的功率转换应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能，适合在电源管理和负载开关应用中使用。该MOSFET为N沟道增强型，封装形式为TO-220AB，适用于工业电源、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：160A
功耗（Ptot）：300W
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：0.95mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：1.45mΩ
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220AB
BUK765R2-40B,118 采用NXP的高性能TrenchMOS技术，具备极低的导通电阻，这使得该MOSFET在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为0.95mΩ，而在Vgs=4.5V时也仅为1.45mΩ，表明该器件在低电压驱动条件下依然保持良好的性能。
该器件具有300W的高功率耗散能力，结合其优异的热管理特性，使其能够在高负载和高温环境下稳定运行。此外，其最大连续漏极电流在25°C下可达到160A，支持在高电流密度应用中使用。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的栅极驱动器设计。同时，其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
TO-220AB封装不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和使用。此外，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了其在突发负载或感性负载切换时的可靠性。
BUK765R2-40B,118 主要应用于高效率电源系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率密度设计的理想选择。
在工业自动化系统中，该MOSFET可用于控制高功率负载，如加热元件、照明系统和伺服电机。此外，其优异的热稳定性和宽工作温度范围也使其适用于户外设备和车载电源系统。
在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该器件可用于高效功率转换和能量管理。由于其在高频开关应用中表现出色，因此也常用于开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路。
IPB045N04LC G, STD75N40F7-1, FDD8878
