类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：80A（25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ
　　功率耗散（PD）：310W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-247

IXFK80N10具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压额定值为100V，适用于多种中高压应用场景。此外，其高栅极电荷（Qg）特性确保了快速开关性能，减少了开关损耗。
　　该器件的封装形式为TO-247，具备良好的热传导性能，有助于快速散热，从而提升器件在高功率工作条件下的可靠性。IXFK80N10还具有出色的雪崩能量耐受能力，能够承受短时间内的过压和过流冲击，增强系统的稳定性和安全性。
　　IXFK80N10的栅极驱动电压范围为±20V，允许使用常见的10V或15V栅极驱动电源，适用于多种驱动电路设计。其在高频率开关应用中表现出色，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及不间断电源（UPS）等应用场合。

IXFK80N10主要应用于需要高电流、高效率和高可靠性的功率电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可作为主开关元件，用于高效转换和调节电压；在电机控制电路中，IXFK80N10可用于H桥结构，实现电机的双向控制；在逆变器和UPS系统中，该器件可作为功率开关，实现直流到交流的电能转换。
　　此外，该MOSFET还可用于太阳能逆变器、电动车电池管理系统（BMS）、电能储存系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其在高功率密度设计中表现出色，特别适合需要长时间稳定运行的工业和汽车电子应用。

IRF3205, STP80NF55, FDP80N10