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CM400HU-24F 发布时间 时间:2025/9/29 18:36:15 查看 阅读:5

CM400HU-24F是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的高功率IGBT模块,广泛应用于工业驱动和电力转换系统中。该模块属于富士Electric的高性能IGBT系列,具有优异的开关特性、热稳定性和可靠性,适用于大电流、高电压的工作环境。CM400HU-24F采用第四代IGBT芯片技术,结合先进的封装工艺,确保在高频率开关操作下仍能保持低损耗和高效率。该模块内部通常采用双管结构(Half-Bridge),包含两个IGBT单元和对应的反并联二极管,便于构建逆变器桥臂电路。模块外壳设计为标准的第6代IGBT模块封装形式,具备良好的绝缘性能和散热能力,适合直接安装在散热器上使用。其额定集电极电流为400A,阻断电压高达1200V,适用于中等功率到高功率等级的变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、焊接设备以及可再生能源发电系统等应用场景。此外,CM400HU-24F具备较强的抗短路能力和温度稳定性,能够在瞬态过载条件下安全运行,并配合外部驱动保护电路实现快速关断和故障保护。由于其成熟的市场应用和技术支持,该模块在全球工业领域拥有较高的装机量和用户认可度。

参数

型号:CM400HU-24F
  制造商:富士电机(Fuji Electric)
  器件类型:IGBT模块
  配置:半桥(Half-Bridge)
  集电极电流(IC):400A
  集电极-发射极电压(VCE):1200V
  栅极-发射极电压(VGES):±20V
  工作结温范围(Tj):-40℃ 至 +150℃
  最大开关频率:约30kHz(取决于散热条件)
  导通压降(VCE(sat)):典型值3.2V(在IC=400A, VGE=15V时)
  内置续流二极管:是
  反向恢复时间(trr):典型值0.8μs
  热阻(Rth(j-c)):约0.15℃/W(每IGBT芯片)
  封装类型:第6代标准模块封装,带绝缘底板

特性

CM400HU-24F模块采用了富士电机第四代IGBT芯片技术,显著提升了开关速度与导通性能之间的平衡。其核心优势在于低导通压降(VCE(sat))和优化的开关损耗特性,使得在高负载工况下依然能够保持高效运行,降低整体系统温升。该模块通过优化载流子分布和掺杂工艺,有效抑制了拖尾电流现象,从而减少了关断过程中的能量损耗,提升了高频工作的可行性。同时,模块内部集成的快速软恢复二极管具备较低的反向恢复电荷(Qrr)和可控的反向恢复电流尖峰,有助于减少电磁干扰(EMI),提高系统的电磁兼容性。
  在可靠性方面,CM400HU-24F经过严格的出厂测试,具备出色的抗短路能力,可在规定时间内承受数倍于额定电流的短路电流而不损坏,为系统提供足够的故障响应时间。其陶瓷基板采用高强度氮化铝(AlN)材料,具有优异的导热性和绝缘性能,确保长期运行下的热循环稳定性。引线连接采用多股铝丝键合技术,增强了电流承载能力和机械强度,避免因热膨胀差异导致的断裂问题。此外,模块表面设计有高压隔离区域和爬电距离优化结构,满足国际安全标准对高压器件的绝缘要求。
  该模块还支持模块化并联使用,在大功率应用中可通过多个模块并联扩展输出能力,且由于器件间参数一致性高,均流效果良好。配套的驱动电路设计建议采用光耦隔离或磁隔离型驱动器,确保控制信号的电气隔离和抗干扰能力。总体而言,CM400HU-24F凭借其高性能、高可靠性和成熟的技术平台,成为工业自动化和电力电子系统中的关键组件之一。

应用

CM400HU-24F广泛应用于各类需要高功率密度和高效率的电力电子设备中。最常见的用途是作为通用交流变频器的核心功率器件,用于控制三相异步电动机的转速和转矩,适用于风机、水泵、压缩机等节能调速场合。在伺服驱动系统中,该模块因其快速响应能力和良好的动态性能,被用于精密运动控制设备,如数控机床、机器人和自动化生产线。
  在不间断电源(UPS)系统中,CM400HU-24F可用于逆变级电路,将直流电转换为稳定的交流输出,保障关键负载的持续供电。其高耐压和大电流能力也使其适用于大功率开关电源、感应加热设备和电焊机等工业电源产品。此外,在新能源领域,该模块可用于小型风力发电系统的并网逆变器或储能系统的双向变换器,实现能量的高效转换与管理。
  由于其良好的热稳定性和抗冲击能力,CM400HU-24F也可用于轨道交通辅助电源、电动汽车充电桩等严苛环境下的电力转换装置。在冶金、矿山、石油等重工业领域,该模块常用于高压大功率传动系统,承担主回路的电能调控任务。总之,凡是需要将直流电转换为交流电或进行高效DC-AC/AC-DC变换的场景,CM400HU-24F都是一种可靠且成熟的选择。

替代型号

2MBI400U2E-120
  FF400R12KS4
  SEMIX404GB126HDs

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CM400HU-24F参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型沟道
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.4V @ 15V,400A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)400A
  • 电流 - 集电极截止(最大)2mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)160nF @ 10V
  • 功率 - 最大1600W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 其它名称835-1094CM400HU-24F-ND