时间：2025/8/6 9:38:16
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IXFK48N60Q3 是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流应用。这款MOSFET采用了先进的平面MOS技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于电源转换、电机控制、UPS系统以及太阳能逆变器等电力电子设备。IXFK48N60Q3采用了TO-247封装，具有良好的热管理和机械稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：48A
栅极驱动电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：最大0.135Ω
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
IXFK48N60Q3 MOSFET的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高开关速度，能够支持高频操作，从而减小外部滤波元件的尺寸并提高系统的动态响应。该器件还具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行。其TO-247封装设计提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的结温。此外，IXFK48N60Q3还具有较高的短路耐受能力，使其适用于高可靠性的工业和电力电子应用。
该器件的栅极驱动要求相对较低，可以在标准的10V至15V范围内工作，这使得它与大多数PWM控制器兼容。同时，IXFK48N60Q3具有较低的输入电容和反向传输电容，这有助于减少开关过程中的驱动损耗。在热设计方面，由于其良好的热阻特性，IXFK48N60Q3可以在高环境温度下安全运行而无需额外的散热措施。
IXFK48N60Q3广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）以及太阳能光伏逆变器。其高电压和高电流能力使其非常适合用于需要高效能和高可靠性的工业自动化和能源管理系统。此外，该器件也可用于电动汽车充电设备和储能系统中的功率转换模块。
STP48N60M5, FGP48N60, FQA48N60
