时间：2025/12/29 13:39:55
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IXFK24N100是一款由Littelfuse公司生产的高功率N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为高电压和高电流应用设计。该器件适用于工业电源、开关电源（SMPS）、电机控制和可再生能源系统等高性能场景。其采用了先进的平面沟道技术，具备良好的导通性能和高效的开关特性。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：24A
漏源电压（VDS）：1000V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（最大）
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
引脚数：3
IXFK24N100具有出色的导通性能和高耐压能力，确保在高压应用中稳定运行。该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）可降低导通损耗，提高整体效率。此外，它还具备快速开关速度，适合高频操作，减少开关损耗。
这款MOSFET采用高可靠性的平面技术，能够承受较大的热应力和电应力，适用于高温和高负载环境。其TO-247封装设计提供了良好的散热性能，确保器件在高功率条件下长时间稳定工作。
IXFK24N100还具有较高的短路耐受能力，可以在突发故障情况下提供额外的安全保障。同时，其宽泛的栅极电压范围允许灵活的驱动电路设计，简化了控制部分的复杂性。
该MOSFET广泛应用于高电压和高功率的电力电子系统，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。由于其卓越的电气性能和稳定性，IXFK24N100也常用于功率因数校正（PFC）电路和DC-DC转换器中，确保高效的能量转换和可靠的系统运行。
IXFK24N100P, IXFH24N100P, IXFK28N100
