TGF2819-FL 时间：2025/8/16 2:29:02 阅读：8

TGF2819-FL 是 Qorvo（原 TriQuint）推出的一款高功率 GaN（氮化镓）场效应晶体管（FET），适用于高功率射频和微波应用。这款晶体管设计用于在 2 GHz 以下的频率范围内工作，具有出色的功率增益和效率。TGF2819-FL 采用先进的 GaN 技术，提供了高输出功率、高可靠性和优异的热管理性能，广泛应用于无线基础设施、雷达、测试设备和工业控制系统等领域。

参数

类型：GaN FET
　　工作频率：2 GHz 以下
　　输出功率：典型值 100 W（脉冲）
　　漏极电压：28 V
　　增益：12 dB（典型）
　　效率：60% 以上
　　封装类型：法兰封装
　　阻抗匹配：50Ω 输入/输出
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

TGF2819-FL 是一款高性能的 GaN 功率晶体管，其核心技术基于氮化镓材料，相较于传统的 LDMOS 或 GaAs 器件，具有更高的功率密度、更宽的带隙和更好的热稳定性。这款晶体管可以在较宽的频率范围内保持高效率和高输出功率，非常适合用于高要求的射频功率放大器设计。
　　在电气性能方面，TGF2819-FL 能够在 28 V 的漏极电压下提供超过 100 W 的脉冲输出功率，同时保持约 12 dB 的功率增益。其高效率特性（超过 60%）使得系统功耗降低，提高了整体能效和可靠性。此外，该器件具有良好的线性度，适用于需要高信号保真的应用场合。
　　从封装和热管理角度来看，TGF2819-FL 采用法兰封装设计，有助于提高机械稳定性和散热性能。这种封装形式适用于高功率应用，能够有效传导热量并保持器件在高温下的稳定运行。该器件的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用。
　　此外，TGF2819-FL 在设计上提供了 50Ω 的输入和输出阻抗匹配，简化了外部匹配网络的设计，降低了电路设计的复杂性。它还具有较高的抗失真能力和良好的稳定性，适合用于高可靠性系统如雷达和无线通信基础设施。