SVF12N60F 是一款高性能的 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET),专为高电压、高效率应用场景设计。其耐压能力高达 600V,能够满足多种开关电源、逆变器和电机驱动等应用需求。
该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,有助于提高系统效率并降低能耗。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:12A
导通电阻 (典型值):370mΩ
栅极电荷 (典型值):59nC
开关时间:ton=44ns, toff=18ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
SVF12N60F 的主要特性包括:
1. 高击穿电压:支持高达 600V 的漏源电压,确保在高压环境下可靠运行。
2. 低导通电阻:370mΩ 的典型导通电阻显著降低了传导损耗,从而提高了整体效率。
3. 快速开关性能:较小的栅极电荷和短开关时间使其适用于高频开关应用。
4. 稳定性强:具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,可在恶劣条件下正常工作。
5. 小型化封装:采用 TO-220 封装,便于散热和安装,同时节省空间。
这些特性使得 SVF12N60F 成为开关电源、DC/DC 转换器、电机控制和工业电子设备的理想选择。
SVF12N60F 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):用于高效率 AC/DC 或 DC/DC 转换。
2. 逆变器:光伏逆变器或 UPS 中的关键元件。
3. 电机驱动:控制和驱动各类电机,如直流无刷电机 (BLDC)。
4. 工业电子:包括焊接设备、工业控制器和其他高压电路。
5. PFC (功率因数校正):提升功率转换系统的效率与稳定性。
其高耐压和低损耗特性使它在这些应用中表现优异。
STP12NF60K, IRFP460, FDP12N60E