时间：2025/8/5 23:44:05
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IXFK220N20X3是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流、高电压的功率电子应用。该器件采用TO-264封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及各种高功率开关电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：200V
最大漏极电流（ID）：220A
导通电阻（RDS(on)）：最大值约0.015Ω（典型值0.013Ω）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V~4.0V
工作温度范围：-55°C~175°C
封装形式：TO-264
功率耗散（PD）：300W
IXFK220N20X3的主要特性是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，实现了优异的开关性能和热稳定性。
此外，该MOSFET具有高电流承载能力和良好的热阻特性，使其能够在高功率密度环境下稳定工作。其TO-264封装设计便于安装在散热器上，提高散热效率。
该器件还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在突发的高电压情况下提供一定的保护作用，从而提高系统的可靠性。
由于其高速开关能力，IXFK220N20X3非常适合用于高频开关电源和逆变器应用。其栅极驱动电压范围适中，可兼容常见的10V~15V驱动电路，方便设计与集成。
另外，该器件在制造过程中采用了环保材料，符合RoHS和REACH等国际环保标准。
IXFK220N20X3广泛应用于需要高功率、高效率的电力电子系统中。例如，在DC-DC转换器中作为主开关器件，用于提高转换效率；在电机驱动系统中作为功率输出器件，实现电机的高效控制；在太阳能逆变器和UPS系统中作为核心开关元件，完成直流到交流的转换。
此外，该器件也可用于高功率LED照明系统、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和电动汽车充电模块等场合。
由于其良好的热稳定性和高电流能力，IXFK220N20X3在需要长时间高负载工作的系统中表现出色，是一种可靠且高效的功率MOSFET解决方案。
IXFH220N20P, IXFK280N20X2, IXFK240N10X2
