类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：900V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

IXFK12N90具备多项优良特性，使其在高电压功率应用中表现出色。首先，其最大漏极-源极电压（VDS）为900V，使其适用于高电压环境。此外，最大漏极电流为12A，能够支持较高功率的负载。该器件的导通电阻（RDS(on)）为0.55Ω，在导通状态下能有效减少功率损耗，提高整体系统效率。其封装形式为TO-247，具有良好的热管理和散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定工作。
　　IXFK12N90的最大栅极-源极电压为±20V，提供了较大的驱动电压范围，便于与各种控制电路兼容。该MOSFET具备较低的开关损耗，适用于高频开关应用，有助于减小电源系统的体积和提高响应速度。同时，其工作温度范围为-55°C至150°C，适合在恶劣的工业和汽车环境中使用，具有良好的热稳定性和长期可靠性。
　　此外，该MOSFET具备雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定程度的保护，减少因电压尖峰导致的失效风险。这一特性使其在电机控制和逆变器应用中更具优势。

IXFK12N90主要应用于需要高电压、高电流处理能力的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制电路。由于其具备较高的漏极-源极电压和良好的导通特性，该器件非常适合用于高压电源转换系统，如光伏逆变器、工业电源和电池管理系统。此外，IXFK12N90也广泛应用于电动汽车和充电设备中的功率转换模块。
　　在工业自动化和电机驱动领域，该MOSFET可用于构建高性能的H桥电路，实现电机的正反转控制和制动功能。同时，其良好的热性能和较高的工作温度范围使其适用于高温环境下的控制系统。在家电领域，IXFK12N90可用于电磁炉、电热水器等大功率电器的功率调节电路中，提供高效的功率控制方案。

IXFK15N90, IXTP12N90, STF12N90M5, FQA12N90C