KTH2369A-AT 时间：2025/9/11 18:18:47 阅读：30

KTH2369A-AT是一款由KEC Corporation生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及马达驱动等需要高效功率控制的场合。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，能够在高温环境下稳定工作。KTH2369A-AT采用SOT-223封装，适合表面贴装，具有良好的热管理和电气性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大35mΩ @ Vgs = 10V
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-223

特性

KTH2369A-AT具备多项优良特性，首先其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具有高电流能力，能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度设计。此外，SOT-223封装提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中仍能保持稳定运行。该器件还具备快速开关特性，减少开关损耗，提升整体性能。KTH2369A-AT的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。该器件在极端温度环境下仍能保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

KTH2369A-AT广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关控制、电池管理系统（BMS）、马达驱动器以及LED照明驱动电路等。其高效率和小尺寸封装也使其成为便携式电子产品和嵌入式系统中的理想选择。由于其出色的热管理和电气特性，该MOSFET也适用于需要高可靠性的工业控制和汽车电子系统。