时间：2025/12/29 13:51:16
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IXFK120N20是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率、高频的开关电路中。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻、高耐压能力和高电流承载能力的特点，适用于电源转换、电机控制、不间断电源（UPS）和焊接设备等多种工业应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：最大50mΩ
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
IXFK120N20的主要特性包括低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率；高耐压能力使其适用于多种高电压应用场景；较大的连续漏极电流允许其在高功率系统中使用。此外，该器件具备良好的热稳定性与快速开关特性，适用于高频开关应用。其TO-247封装设计提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动要求较低，通常只需要10V左右的栅极电压即可完全导通，兼容常见的MOSFET驱动电路。同时，其具备较高的短路耐受能力，在瞬态过载条件下仍能保持稳定运行。此外，IXFK120N20采用了先进的沟槽栅技术，优化了电流传导路径，进一步提升了性能表现。
IXFK120N20主要应用于高功率密度电源系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、焊接设备、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。由于其具备高电流能力和优异的开关性能，也适用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路。在工业自动化与电力电子系统中，该器件常用于构建高效率、高可靠性的功率转换模块。
IXFH120N20P, IXFN120N20T, IRFP4668, SiHF120N20E
