IXFK102P30P 时间：2025/8/5 22:10:57 阅读：21

IXFK102P30P 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，适用于电源管理、电机控制、负载开关和电池保护等场景。IXFK102P30P 采用 TO-262 封装形式，适合表面贴装（SMT）工艺，具有良好的热性能和电流承载能力。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-100A
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V 时最大为 2.0mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-262
　　功率耗散（PD）：250W

特性

IXFK102P30P 功率 MOSFET 采用先进的沟槽结构技术，提供极低的导通电阻，从而降低导通损耗并提高系统效率。该器件在 VGS=10V 时 RDS(on) 最大为 2.0mΩ，确保在高电流条件下仍能保持良好的导通性能。
　　该 MOSFET 具有高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于高功率密度设计。其 TO-262 封装形式不仅支持表面贴装工艺，还提供了良好的散热性能，有助于在高功耗应用中保持稳定的工作温度。
　　此外，IXFK102P30P 的最大漏源电压为 -30V，最大漏极电流可达 -100A，适合用于高电流开关应用，如 DC-DC 转换器、电动工具、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）和工业电机控制。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，支持常见的 10V 或 12V 驱动电路，兼容标准的 MOSFET 驱动器芯片，方便设计人员进行电路集成。

应用

IXFK102P30P 广泛应用于需要高功率、高可靠性的电子系统中。其典型应用包括工业电源、电机控制器、电池管理系统（BMS）、储能系统、电动车辆（如电动叉车、电动车）的功率控制单元、不间断电源（UPS）以及各种 DC-DC 转换器设计。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，IXFK102P30P 也常用于同步整流器、负载开关和高功率负载的驱动电路中。此外，在电源管理系统中，该 MOSFET 可作为背靠背开关用于电池保护电路，确保系统的安全运行。
　　在汽车电子领域，IXFK102P30P 适用于车载逆变器、车载充电器（OBC）以及电池切换和保护电路。其高可靠性和良好的热性能使其在高温环境下仍能稳定工作。