BSP31,115 时间：2025/9/14 18:25:21 阅读：4

BSP31,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于中低功率的开关应用。这款器件采用标准的 TO-92 封装，适合印刷电路板（PCB）的通孔安装。BSP31,115 在设计上具有良好的热稳定性和高可靠性，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：40V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　连续漏极电流 (Id)：100mA
　　导通电阻 (Rds(on))：10Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92

特性

BSP31,115 具有多种优异的电气和物理特性。其 40V 的漏源电压使其能够在中等电压环境下稳定工作，同时 ±20V 的栅源电压确保了在控制信号波动时仍能保持正常操作。该器件的导通电阻最大为 10Ω，在低电流应用中可以有效降低功率损耗，提高整体效率。
　　此外，BSP31,115 的连续漏极电流为 100mA，适用于小型电机控制、LED 驱动、继电器和开关电路等应用。其 TO-92 封装形式不仅便于安装，还能提供良好的散热性能，延长器件的使用寿命。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在较为严苛的环境中保持稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应多种温度条件下的应用需求。BSP31,115 的高可靠性使其成为工业控制、消费电子和汽车电子等领域的理想选择。

应用

BSP31,115 常用于需要中低功率开关控制的电路中。典型应用包括小型电机控制、LED 驱动电路、继电器控制、电源管理系统、家用电器控制电路以及工业自动化设备中的信号切换电路。由于其低导通电阻和良好的热稳定性，该器件也可用于电池供电设备中的功率管理模块，以提高能效和延长电池寿命。
　　此外，该 MOSFET 可用于微控制器 I/O 扩展电路中的负载开关，实现对不同外设的精准控制。在汽车电子领域，BSP31,115 可用于车载照明控制、电动车窗控制模块等应用场景。