时间：2025/8/14 6:09:47
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PJQ2461-AU_R1_000A1 是一款由 PanJit（强茂）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和高可靠性的特点。该器件广泛应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等高效率功率转换场合。该 MOSFET 采用 SOT-23 封装形式，适合在空间受限的设计中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：20V
栅源电压 Vgs：±12V
连续漏极电流 Id：6A
导通电阻 Rds(on)：30mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOT-23
PJQ2461-AU_R1_000A1 具备多个显著的性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 30mΩ，在 4.5V 栅极电压下即可实现高效的导通状态，从而显著降低导通损耗，提高整体系统效率。这使得该器件特别适合用于高电流应用，如电池供电设备和便携式电子产品中的电源管理电路。
其次，该 MOSFET 支持高达 6A 的连续漏极电流，能够在高负载条件下稳定运行，同时具备良好的热稳定性。器件采用先进的沟槽式结构设计，提高了载流能力和开关速度，使其在高频开关应用中表现出色，例如 DC-DC 转换器和同步整流器。
此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±12V，推荐工作电压为 4.5V 至 10V，兼容常见的逻辑电平驱动器，便于与微控制器或其他数字电路配合使用。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应各种严苛的工业环境。
最后，SOT-23 小型封装不仅节省空间，还具备良好的热管理性能，适用于高密度 PCB 设计。该封装也便于自动化生产和表面贴装工艺，提高了制造效率。
该器件适用于多种电源管理与功率控制场景，包括但不限于：高效能 DC-DC 升压与降压转换器、负载开关电路、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备电源控制、工业自动化设备中的功率开关等。此外，其优异的导通特性和热稳定性也使其适用于 LED 驱动、热插拔电源控制以及各种需要高效率、小尺寸功率 MOSFET 的场合。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, BSS138K
