时间：2025/8/5 14:13:59
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IXFJ36N30 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电压和高电流的电力电子系统中。该器件设计用于高效能的开关应用，适用于工业控制、电源转换器、电机驱动以及不间断电源（UPS）等高要求的场景。该MOSFET具备高击穿电压、低导通电阻以及优异的热稳定性，确保在恶劣工作条件下仍能保持稳定性能。
类型：MOSFET N-Channel
漏极-源极电压（VDS）：300V
漏极电流（ID）@ 25°C：36A
导通电阻（RDS(on)）：最大 0.095Ω
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
IXFJ36N30 的关键特性之一是其高耐压能力，漏极-源极电压可达 300V，使其适用于高电压开关电路。该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），确保在导通状态下损耗最小，从而提高系统效率。此外，该 MOSFET 采用了先进的平面技术与双扩散工艺，增强了器件的耐用性和稳定性。
其高电流承载能力（36A）使得它在高功率应用中表现出色，同时具备良好的热阻特性，确保器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。该 MOSFET 还具有快速开关速度，减少了开关损耗，适用于高频操作环境。
此外，IXFJ36N30 的封装形式为 TO-247，便于安装在散热器上，提高散热效率。该封装还具有良好的电气绝缘性能和机械稳定性，适用于工业级应用。综合这些特性，IXFJ36N30 是一款适用于高功率密度和高可靠性要求系统的理想选择。
IXFJ36N30 主要应用于各种高功率电子设备中，例如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源供应器、电机控制器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，该 MOSFET 特别适合用于需要高效能和高可靠性的场合。
IXFN36N30, IRF36N30, STF36N30
