时间：2025/8/23 1:01:09
阅读：4
SKT110F06DT 是一款由东芝（Toshiba）制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于功率开关和高效率电源转换应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于各种工业和消费类电子产品。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：110A
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：250W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247AD
SKT110F06DT 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这使得它在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
该器件的高耐压能力（60V）使其适用于多种中压功率应用，例如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。
采用TO-247AD封装形式，提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于高功率密度设计。
此外，SKT110F06DT 具有良好的热稳定性和抗冲击能力，能够在恶劣的工作环境下保持可靠运行。
该MOSFET还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高响应速度，适用于高频开关电源和逆变器电路。
SKT110F06DT 广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电池充电器、电动工具、电动车驱动系统以及工业自动化控制系统。
在DC-DC转换器中，该器件可作为主功率开关，实现高效的能量转换。
在电机驱动和逆变器系统中，其高电流承载能力和快速开关特性可显著提高系统性能。
此外，该MOSFET还可用于高功率LED照明驱动、太阳能逆变器等新能源应用领域。
TKA110F60W,TMPS110F06T
