时间：2025/8/6 9:35:42
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IXFH94N30T是一款高功率MOSFET晶体管，由IXYS公司制造，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用。这款晶体管采用TO-247封装，具备优异的热性能和电气性能，广泛应用于工业电源、电机驱动、太阳能逆变器和焊接设备等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：300V
漏极电流(Id)：94A
导通电阻(Rds(on))：0.027Ω
栅极电荷(Qg)：170nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFH94N30T具有低导通电阻，可降低导通损耗并提高效率。其高电流承载能力和高耐压特性使其适用于高功率应用。此外，该器件具备快速开关特性，有助于减少开关损耗。TO-247封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下稳定运行。该MOSFET还具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适合在恶劣环境下工作。
IXFH94N30T的栅极驱动要求较低，能够与常见的驱动电路兼容，简化了设计过程。其内部结构优化，降低了电磁干扰(EMI)，提高了系统的整体稳定性。此外，该器件具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。
IXFH94N30T广泛应用于工业电源、电机驱动器、焊接设备、UPS系统、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等高功率电子系统中。其高效率和高可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。
IXFH94N30P, IXFH94N30Q, IXFH90N30T
