IXFH30N40 时间：2025/8/5 18:52:42 阅读：27

IXFH30N40是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高电压、高电流的电力电子设备中。这款MOSFET具有出色的导通特性和快速的开关性能，适用于电源转换器、电机驱动器以及工业自动化系统等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：30A
　　最大漏源电压：400V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.065Ω
　　栅极电荷：130nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXFH30N40的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该MOSFET能够在高压环境下稳定工作，其最大漏源电压为400V，使其适用于高电压的电源转换应用。
　　此外，IXFH30N40具有较高的电流承载能力，最大漏极电流为30A，适用于高功率应用。其快速的开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。该器件的栅极电荷较低，为130nC，进一步优化了开关性能。
　　在热管理方面，IXFH30N40采用了高效的封装设计，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，确保在极端环境下的可靠性。TO-247AC封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成到各种电路板中。

应用

IXFH30N40广泛应用于各种电力电子设备中，例如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器和工业控制系统。在电源转换器中，该MOSFET的高电压和高电流能力能够有效支持高效能电源的设计。此外，IXFH30N40还适用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备和不间断电源（UPS）系统等高功率应用。