时间：2025/8/25 6:21:13
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HUF76137S3S 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件专为高效率电源管理和功率开关应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及良好的热稳定性。HUF76137S3S 采用先进的沟槽技术，能够在较小的封装中提供较高的电流承载能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电源管理系统等领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）@25°C：110A
漏极电流（Id）@100°C：67A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：2.8mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：4.7mΩ
功率耗散（Pd）：180W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
HUF76137S3S 具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻，在 Vgs=10V 时仅为 2.8mΩ，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件在高温环境下的性能表现稳定，在 100°C 时仍能提供高达 67A 的漏极电流，确保在高负载条件下的可靠运行。HUF76137S3S 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得芯片结构更加紧凑，同时提高了电流密度，从而在有限的空间内实现更高的功率密度。
HUF76137S3S 还具有良好的热稳定性，其最大功耗为 180W，并采用 TO-252（DPAK）封装，便于散热设计，适用于需要高功率密度和高效散热的应用场景。此外，其栅极驱动电压范围宽广，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压，使其能够兼容多种类型的驱动电路，包括低电压 PWM 控制器或 DSP 控制系统。
该 MOSFET 还具备较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的鲁棒性。此外，其快速开关特性有助于降低开关损耗，从而进一步提升整体系统效率。
HUF76137S3S 广泛应用于各类高功率、高效率的电源系统中。常见的应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源管理模块、工业自动化设备、电信设备以及汽车电子系统等。
在 DC-DC 转换器中，HUF76137S3S 可作为主功率开关，用于实现高效率的电压转换。在负载开关应用中，它能够快速控制电源通断，防止过载和短路对系统造成损害。在电机控制和驱动电路中，该器件可承受较大的瞬时电流，确保电机运行的稳定性和可靠性。
此外，HUF76137S3S 在汽车电子领域也有广泛应用，例如用于汽车电源管理系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）等，其高温稳定性和高可靠性能够满足汽车电子对器件性能的严苛要求。
Si7461DP-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, SQJQ134EP-T1_GE3
