IXFH22N60P 时间：2025/12/29 13:49:36 阅读：11

IXFH22N60P是一款由Littelfuse（原IXYS）制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件专为高功率、高频应用设计，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点。IXFH22N60P广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器、UPS系统、工业自动化和电源管理系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：22A
　　漏极峰值电流（Idm）：88A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.18Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.5V ~ 5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFH22N60P具备多项优异的电气和物理特性。其600V的漏源电压使其适用于中高压功率转换系统，22A的连续漏极电流能力可支持高功率输出。低导通电阻（最大0.18Ω）有效降低了导通损耗，提高整体系统效率。该MOSFET采用先进的平面技术，具备出色的热稳定性与可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
　　此外，IXFH22N60P具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其TO-247封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，便于安装和散热设计。该器件还内置了体二极管，可支持反向电流回流，适用于桥式电路和电机驱动等应用。
　　在保护特性方面，IXFH22N60P具备良好的雪崩耐量和抗短路能力，能够在异常工况下保持稳定运行，提高系统的安全性和可靠性。

应用

IXFH22N60P广泛应用于多种高功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它可用于PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑，如反激式、正激式和半桥式变换器。在电机控制和伺服驱动系统中，该MOSFET可作为高效功率开关，支持PWM控制和双向电流流动。在逆变器和UPS系统中，IXFH22N60P能够实现高效的直流-交流转换，适用于太阳能逆变器和储能系统。
　　此外，该器件也适用于工业自动化设备、电源管理系统、LED照明驱动、电池充电器以及高频感应加热设备。由于其高可靠性和优异的热性能，IXFH22N60P也常用于需要长时间连续运行的工业和通信设备中。