时间：2025/12/29 14:53:07
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FQH70N15 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：150V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：70A（最大值）
导通电阻（RDS(on)）：约 0.018Ω（典型值）
功率耗散（PD）：300W（最大值）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
FQH70N15 以其卓越的性能在功率电子设计中占据重要地位。该器件的低导通电阻显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。其高耐压能力（150V）使其适用于中高功率应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电机驱动器。此外，该 MOSFET 的封装形式（TO-263）不仅提供了良好的热管理性能，还支持表面贴装工艺，适用于自动化生产。
该器件还具备快速开关能力，能够有效降低开关损耗，适用于高频操作环境。FQH70N15 的热稳定性优异，能够在高温环境下稳定工作，确保系统长时间运行的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，为工程师提供了更大的设计灵活性。
对于功率 MOSFET 来说，FQH70N15 在高温下的导通电阻变化率较低，这进一步提升了其在高负载条件下的性能表现。同时，该器件具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在极端条件下提供额外的安全保障。
FQH70N15 主要用于需要高效功率管理和高电流处理能力的应用场景。常见的应用包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率模块。此外，该器件也广泛应用于新能源领域，例如太阳能逆变器和电动汽车的充电系统，为其提供可靠的功率开关解决方案。
IRF1405, FDP70N15, FQA70N15
