IXFH21N60 时间：2025/8/6 8:34:16 阅读：17

IXFH21N60是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高功率、高效率的电力电子系统中。该器件具有较高的漏源击穿电压（600V）和较大的连续漏极电流（21A），适用于开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器、UPS系统及DC-DC转换器等多种应用场景。

参数

漏源击穿电压（VDS）：600V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：21A
　　连续漏极电流（ID）@100°C：14A
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：0.23Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：75nC
　　输入电容（Ciss）：1600pF

特性

IXFH21N60具备多项优良的电气特性和物理特性，适用于高功率密度和高效率设计。其主要特性包括高耐压能力，可确保在600V高压下稳定工作；较大的连续漏极电流（21A）可支持高功率输出；低导通电阻（RDS(on)最大为0.23Ω）有助于降低导通损耗，提高系统效率；此外，该器件具备较低的栅极电荷（Qg为75nC），有利于实现高频开关操作，减少开关损耗。
　　该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的热管理和散热性能，适用于高功率应用。其封装形式还具备良好的绝缘性能，可提高系统的安全性和可靠性。IXFH21N60的工作温度范围宽广（-55°C至+150°C），适应各种恶劣环境下的运行需求。此外，其内部结构优化，具备较强的抗电磁干扰（EMI）能力，同时具备良好的雪崩能量耐受能力，有助于提升系统的稳定性和耐久性。

应用

IXFH21N60广泛应用于各种高功率电子设备中，主要包括开关电源（SMPS）、电机驱动和控制、DC-DC转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化控制系统、照明镇流器以及电动汽车充电系统等。其高耐压、大电流能力和低导通电阻的特性，使其特别适合于需要高效能、高可靠性的电力电子变换系统。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，IXFH21N60也常被用作关键的功率开关元件。