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2N2060A 发布时间 时间:2025/9/3 5:15:45 查看 阅读:8

2N2060A是一款硅制NPN型高频晶体管,广泛应用于高频放大器和射频(RF)电路中。这款晶体管设计用于在高频率下提供良好的性能,适用于通信设备、射频放大器和其他高频应用。

参数

类型:NPN晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  最大工作频率(fT):100MHz
  封装类型:TO-72

特性

2N2060A晶体管具有良好的高频响应和稳定性,适合在射频和中频放大电路中使用。其低噪声特性使其在接收机前端放大器中表现优异。此外,该晶体管具有较高的增益带宽积,能够在高频条件下保持较高的放大能力。
  该晶体管的封装设计使其适合于PCB安装,并提供良好的热稳定性和可靠性。其硅材料和结构设计确保了在各种工作条件下的稳定性能。
  2N2060A还具有良好的温度稳定性,能够在较宽的温度范围内正常工作。其低噪声系数和高增益特性使其在射频信号放大中具有重要作用。

应用

2N2060A常用于射频放大器、中频放大器、接收机前端、高频振荡器等电路中。它也适用于需要高频性能的通信设备、测试仪器和信号处理设备。

替代型号

2N2060, 2N2218, 2N2219

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2N2060A参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)60V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)-
  • 电流 - 集电极截止(最大值)-
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)50 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大值600mW
  • 频率 - 跃迁60MHz
  • 工作温度-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-78-6 金属罐
  • 供应商器件封装TO-78-6