时间：2025/12/29 13:37:01
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IXFH20N80Q是一款由IXYS公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高电压的应用。该器件采用了先进的平面DMOS技术，提供高效率、高速开关性能以及优异的热稳定性。这款MOSFET采用TO-247封装，适用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器以及各种高电压和高功率应用。
类型: N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds): 800V
最大漏极电流(Id): 20A（在Tc=25℃时）
导通电阻(Rds(on)): 最大0.26Ω（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg): 85nC（典型值）
最大功耗(Pd): 200W
工作温度范围: -55℃至+150℃
封装形式: TO-247
IXFH20N80Q具有多项关键特性，适用于高功率电子系统。其800V的最大漏源电压能力使其适合用于高电压转换器和电机驱动应用。在20A的额定漏极电流下，该MOSFET能够处理大电流负载，同时保持较低的导通损耗。导通电阻Rds(on)的最大值为0.26Ω，确保了在导通状态下的低功耗，提高了系统的整体能效。
该器件的栅极电荷Qg为85nC，这影响了开关速度和开关损耗。较低的Qg值意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而提升系统效率，特别是在高频应用中。此外，IXFH20N80Q采用了TO-247封装，这种封装形式具有良好的散热性能，有助于器件在高功率条件下稳定运行。
该MOSFET还具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠工作。其宽广的工作温度范围从-55℃到+150℃，使其适用于各种严苛环境，如工业控制系统、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）以及高电压电机控制设备。
IXFH20N80Q常用于需要高电压和高功率处理能力的电子系统中。典型应用包括工业电源、电机驱动器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、LED照明驱动器以及各种高电压功率电子设备。其优良的开关性能和高耐压能力，使其成为高性能功率转换系统中的理想选择。
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