类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功率耗散（Ptot）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
　　封装类型：S-Mini
　　增益带宽积：8GHz
　　噪声系数（NF）：1.3dB（典型值，f=1GHz）

2SC4509晶体管具备出色的高频放大能力和低噪声特性，这使其在高频小信号处理领域具有显著优势。其过渡频率高达8GHz，表明该器件能够在微波频段内有效工作，适用于GHz级别的射频放大电路。这一特性得益于其内部结构的优化设计和高质量的硅材料工艺，确保载流子迁移效率高，开关速度快，从而实现快速响应和低延迟信号传输。在实际应用中，2SC4509的高fT值意味着它可以用于UHF（超高频）和L波段等无线通信系统中，如GPS接收机、Wi-Fi模块和蓝牙射频前端。
　　该晶体管的噪声系数仅为1.3dB左右（在1GHz频率下），属于非常低的水平，这对于接收链路中的第一级放大器至关重要，能够有效提升系统的信噪比，增强弱信号接收能力。同时，其直流电流增益范围宽（70～700），可根据不同的偏置条件和应用场景灵活调整工作点，有利于实现稳定的增益控制和阻抗匹配。这种宽hFE分布也反映了制造过程中的一致性控制良好，便于批量生产时的电路设计与调试。
　　2SC4509采用了小型表面贴装封装（S-Mini），体积小巧，热阻较低，有助于提高散热效率，并支持自动化贴片生产工艺，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。该封装还具有良好的高频引脚布局，减少了寄生电感和电容的影响，进一步提升了高频性能。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其不仅适用于常温环境，也能在极端高低温条件下可靠运行，增强了在工业级和汽车级应用中的适用性。整体而言，2SC4509凭借其高频、低噪、高增益和小型化等综合优势，成为高频模拟电路设计中的重要元件。

2SC4509主要应用于高频小信号放大电路，尤其是在射频（RF）和微波通信系统中发挥关键作用。常见使用场景包括电视调谐器中的高频头放大器，用于增强接收到的广播电视信号，提高图像和声音质量。在无线通信设备中，如蜂窝基站前端、无线局域网（WLAN）模块和物联网（IoT）终端设备，2SC4509可用于低噪声放大器（LNA）设计，以提升接收灵敏度。此外，在GPS导航系统中，该晶体管可作为射频信号的第一级放大器，有效放大微弱的卫星信号，同时引入尽可能少的额外噪声，保障定位精度。
　　在有线电视（CATV）和宽带接入系统中，2SC4509被广泛用于线路驱动放大器和信号分配网络中，确保高频信号在长距离传输过程中的完整性。它也可用于各种类型的振荡器电路，例如本地振荡器（LO）或压控振荡器（VCO）缓冲级，提供稳定的信号输出。在测试测量仪器领域，如频谱分析仪和信号发生器中，2SC4509可用于构建高性能前置放大器，确保测试信号的准确性和稳定性。
　　由于其小型封装和高可靠性，2SC4509特别适合应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和手持通信设备中的射频模块。此外，在雷达系统、卫星通信地面站以及工业无线控制系统中，该晶体管同样具备广泛应用潜力。总之，凡是需要在数百MHz到数GHz频率范围内进行低噪声、高增益放大的场合，2SC4509都是一个值得考虑的高性能选择。

MMBT3904、2SC3356、BFR92A、2SC3838