时间：2025/8/6 4:23:39
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IXFH170N25X3是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司生产，主要用于高功率应用领域。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力等优点，适合用于开关电源、逆变器、电机控制和功率因数校正等场合。该MOSFET具有较高的热稳定性和可靠性，能够在高频率和高功率条件下稳定运行。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：250V
最大漏极电流(Id)：170A
导通电阻(Rds(on))：0.027Ω
栅极电荷(Qg)：280nC
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247
IXFH170N25X3具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（0.027Ω）使得在高电流条件下导通损耗大大降低，提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET具有较高的耐压能力（250V），可以在高压环境下稳定工作，适用于多种高功率应用。此外，该器件的高电流承载能力（170A）使其能够承受较大的负载，适用于需要高输出功率的电路设计。IXFH170N25X3还具有较低的栅极电荷（Qg为280nC），这意味着其开关速度较快，开关损耗较低，适用于高频开关应用。此外，该MOSFET的TO-247封装结构有助于提高散热效率，确保在高温环境下的稳定运行。其最大工作温度可达150°C，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级和高可靠性要求的应用场景。
IXFH170N25X3广泛应用于高功率电子设备中，包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、功率因数校正（PFC）电路以及工业自动化控制系统等。由于其高效率和高可靠性，该MOSFET也适用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
IXFH180N25X3, IXFH160N25X3
