时间：2025/5/20 14:18:05
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DMN2114SN-7是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，采用SOT-23封装。该器件设计用于低电压应用场合，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而实现高效的功率转换和开关操作。其小型化封装使其非常适合空间受限的设计，同时保持良好的电气性能。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：1.8A
导通电阻（Rds(on)）：0.95Ω（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：3nC（典型值）
功耗：330mW
工作结温范围：-55℃至150℃
DMN2114SN-7具有非常低的导通电阻，可减少传导损耗并提高效率。此外，它还具备快速开关速度，能够降低开关损耗，适用于高频应用。该器件的高雪崩能力提高了其在瞬态条件下的可靠性。SOT-23封装提供出色的散热性能，同时满足紧凑型设计需求。
这款MOSFET广泛适用于负载切换、同步整流、电机驱动以及电池供电设备等场景。其坚固的结构确保了在各种恶劣环境下的稳定运行。
DMN2114SN-7常用于便携式电子设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的充电器及适配器。此外，它也适合于消费类电子产品中的背光驱动、音频放大器和LED照明控制。工业领域中，该器件可用于小型电机控制、信号调节和保护电路。其低功耗特点特别适合电池供电系统以延长续航时间。
DMN2114UFG-7, DMN2114SFH-7
