2SK1618S 时间：2025/9/7 15:17:56 阅读：28

2SK1618S 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高速开关性能，适合用于DC-DC转换器、电源管理和电机驱动等应用。其封装形式为SOP（Small Outline Package），具备良好的散热性能，适合表面贴装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：1.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：约3.5Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

2SK1618S MOSFET的主要特性是其低导通电阻，使得在导通状态下功率损耗较低，提高了电源转换效率。
　　此外，该器件具有高速开关能力，适用于高频应用，如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
　　其SOP封装形式提供了良好的散热性能，同时节省空间，适用于高密度电路设计。
　　该MOSFET具备较高的栅极绝缘能力，允许使用±20V的栅极驱动电压，提升了驱动的灵活性。
　　在热保护方面，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
　　2SK1618S还具有低漏电流特性，在关断状态下功耗极低，适用于节能型应用。

应用

2SK1618S广泛应用于各种电子设备中的功率控制和转换电路。
　　常见用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电池管理系统和电机驱动电路。
　　由于其高频响应特性，也适用于音频功率放大器中的开关电源部分。
　　此外，该器件可用于便携式电子设备中的电源管理模块，以提高能效和延长电池寿命。
　　在工业控制领域，该MOSFET也可用于PLC（可编程逻辑控制器）和传感器模块的电源管理电路中。