时间：2025/8/6 3:14:45
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IXFH150N25X3 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的高功率 N 沟道 MOSFET，采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。该器件适用于高功率开关应用，如电源转换器、电机控制、UPS 系统和工业自动化设备。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：250 V
最大漏极电流 Id：150 A
最大导通电阻 Rds(on)：12 mΩ
栅极电荷 Qg：260 nC
最大功耗 PD：400 W
封装类型：TO-264
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IXFH150N25X3 采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on) 仅为 12 mΩ），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件的高电流承载能力（最大漏极电流为 150 A）和高耐压能力（250 V）使其非常适合用于高功率密度应用。
此外，该 MOSFET 具有良好的热性能，封装形式为 TO-264，具备较强的散热能力，能够在高温环境下稳定工作。该器件的栅极电荷（Qg）为 260 nC，具有较快的开关速度，适用于高频开关应用。
其封装设计符合 RoHS 标准，适用于工业级应用，并具有良好的可靠性和长期稳定性。由于其优异的电气和热性能，IXFH150N25X3 被广泛用于 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动和高功率电源系统中。
IXFH150N25X3 主要应用于高功率电源系统，如不间断电源（UPS）、工业电机控制、DC-DC 转换器、电动车辆充电系统、太阳能逆变器以及各种高功率开关电源设备。其低导通电阻和高电流能力使其在高效率和高功率密度设计中表现优异，适合用于需要频繁开关和高负载能力的场景。
IXFH150N25X2, IXFH160N25X3, IRFP4468PBF, STW150N2F6
