时间：2025/12/27 13:19:42
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K7267M是一款由韩国三星（Samsung）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器以及各类中高功率开关电路中。该器件采用先进的平面栅极工艺技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点，能够在较高的电压和电流条件下稳定工作。K7267M通常封装于TO-220或TO-220F等标准功率封装形式中，便于散热安装，适用于工业控制、消费电子及通信设备中的功率切换应用。其设计目标是提供高效的能量转换性能，同时降低系统功耗和发热，提升整体系统的可靠性与能效水平。此外，该器件具有较强的抗雪崩能力和耐用性，适合在严苛的工作环境中长期运行。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：7A
脉冲漏极电流（Idm）：28A
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：0.95Ω（最大值，@ Id=3.5A, Vgs=10V）
阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：1100pF（@ Vds=25V）
输出电容（Coss）：350pF（@ Vds=25V）
反向恢复时间（trr）：30ns
最大功耗（Pd）：125W（Tc=25℃）
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220/TO-220F
K7267M具备优异的电气特性和热性能，能够满足多种高要求的功率开关应用场景。其600V的高漏源击穿电压使其适用于高压环境下的开关操作，例如离线式开关电源和AC-DC转换器中，可有效承受瞬态高压冲击而不发生损坏。
该器件的低导通电阻（典型值低于1Ω）显著降低了在导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率，并减少了对散热系统的要求，有助于实现更紧凑的设计。此外，其高达7A的连续漏极电流能力支持中等功率负载的驱动需求，在电机控制、照明电源和充电器等应用中表现出色。
得益于优化的晶圆制造工艺，K7267M具有稳定的阈值电压特性和良好的跨导表现，确保了在不同工作条件下的可靠开启与关断行为。其输入和输出电容较小，有利于提高开关速度，减少开关过程中的能量损耗，特别适合高频工作的电源拓扑结构，如反激式变换器和正激式变换器。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，意味着在感性负载切断过程中产生的电压尖峰不会轻易导致器件失效，增强了系统鲁棒性。同时，其符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。TO-220封装提供了优良的热传导路径，可通过外接散热片进一步增强散热效果，保障长时间高负荷运行时的稳定性。
K7267M常用于各类开关电源系统中，包括适配器、充电器、LED驱动电源和工业用DC-DC转换模块。其高耐压和较强电流承载能力使其成为离线式反激电源主开关管的理想选择，尤其适用于200W以下的电源设计。
在家电领域，它可用于空调、洗衣机和微波炉等设备的内部电源模块或电机驱动电路中，承担功率切换任务。由于其响应速度快且控制简单，也广泛应用于UPS不间断电源、逆变器和小型太阳能发电系统中的直流斩波或逆变环节。
此外，K7267M还可作为电子负载、加热控制系统或电磁阀驱动电路中的主控开关元件，凭借其高可靠性和耐用性，在工业自动化控制系统中发挥重要作用。在通信设备中，该器件用于板载电源模块以实现电压调节和功率分配功能，保证关键电路的稳定供电。
IRF840, FQPF10N60L, STP7NK60ZFP, 2SK2542, SGP7NC60U
