时间：2025/7/26 19:42:48
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IXFH14N100是IXYS公司生产的一款高功率MOSFET晶体管，专为高电压和高电流应用设计。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻和优异的热性能，适用于各种高功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：1000V
漏极电流（Id）：14A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大0.45Ω
栅极电荷（Qg）：70nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
IXFH14N100的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力使其适用于高压应用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。该器件的栅极电荷较低，有助于快速开关，减少开关损耗。此外，IXFH14N100的封装设计提供了良好的散热性能，使其能够在高功率环境下稳定工作。
该MOSFET的高电流处理能力使其适用于高功率转换器和逆变器应用。此外，其宽工作温度范围确保了在恶劣环境下的可靠性。IXFH14N100还具备优异的抗雪崩能力和短路耐受能力，进一步增强了其在高应力条件下的稳定性。
IXFH14N100广泛应用于各种高功率电子系统，包括工业电源、电机驱动器、逆变器、UPS系统、太阳能逆变器以及焊接设备。此外，它也可用于高功率DC-DC转换器和高频电源应用，提供高效能和高可靠性。
IXFH14N100P, IXFH14N100Q2
