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HY27SF081G2A-FPCB 发布时间 时间:2025/9/1 23:44:24 查看 阅读:8

HY27SF081G2A-FPCB 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的NAND闪存芯片,属于嵌入式存储器的一种,广泛用于需要大容量非易失性存储的应用场景。该芯片的存储容量为1GB,采用8位并行接口,支持高速数据读写操作。NAND闪存具有擦写寿命长、功耗低、抗震性强等优点,适合用于工业控制、消费电子、通信设备等领域。

参数

容量:1Gbit
  接口类型:8位并行 NAND 接口
  电压范围:2.7V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  读取时间:最大 50ns
  擦除时间:约2ms
  编程时间:约200μs
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  擦写周期:10万次

特性

HY27SF081G2A-FPCB 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片,具备良好的数据保持能力,在极端环境下依然能够稳定工作。
  该芯片采用TSOP封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于多种嵌入式系统。
  其8位并行接口设计支持高速数据传输,适合用于图像存储、固件更新、数据缓存等应用。
  该芯片支持ECC(错误校正码)功能,能够自动检测和纠正数据错误,提高系统的可靠性和稳定性。
  此外,该芯片支持坏块管理功能,能够在制造过程中标记出的坏块,并在后续使用中自动跳过这些块,确保数据的完整性。
  其低功耗设计使其适用于对功耗敏感的应用场景,如便携式设备、电池供电系统等。

应用

HY27SF081G2A-FPCB 主要用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中,例如:工业控制设备、通信模块、智能卡终端、手持设备、打印机、医疗设备等。
  由于其高可靠性、低功耗和良好的温度适应性,该芯片也常用于汽车电子系统、安防监控设备、数据采集设备等对稳定性和可靠性要求较高的场景。

替代型号

K9F1G08U0A-PCB0, TC58NVG1S3AFT00, MT29F1G08ABBEA

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