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GA0805A222GXABR31G 发布时间 时间:2025/6/4 19:43:18 查看 阅读:5

GA0805A222GXABR31G 是一款高性能的模拟开关芯片,属于 GaAs 工艺制造的射频开关系列。该器件主要用于射频和微波信号切换应用,支持高频信号传输,具有低插入损耗、高隔离度和优异的线性度等特性。其设计旨在满足通信系统中对高性能射频开关的需求,广泛应用于无线基础设施、测试测量设备以及国防雷达等领域。
  该型号是基于 PIN 二极管技术开发的单刀双掷(SPDT)射频开关,能够处理高达 18GHz 的频率范围,同时提供稳定的电气性能。

参数

类型:SPDT 射频开关
  工作频率:DC 至 18 GHz
  插入损耗:≤0.6 dB(典型值)
  隔离度:≥40 dB(典型值)
  VSWR:≤1.3:1
  输入功率:+30 dBm(典型值)
  供电电压:+5V
  静态电流:≤10 mA
  封装形式:QFN-16

特性

GA0805A222GXABR31G 提供了卓越的射频性能,能够在宽频带范围内保持低插入损耗和高隔离度。其 GaAs 工艺确保了低功耗和高可靠性,使其非常适合需要长时间稳定工作的场景。此外,该芯片内置了控制逻辑电路,简化了与外部控制器的接口设计。
  此芯片还具备出色的线性度表现,可有效减少谐波失真,适用于对信号完整性要求较高的应用。同时,其小型化的 QFN 封装有助于节省 PCB 空间,进一步提升系统的集成度。
  在极端环境条件下,GA0805A222GXABR31G 能够承受较大的温度变化范围,并保持稳定的电气性能,从而为关键任务型应用提供了可靠保障。

应用

GA0805A222GXABR31G 广泛应用于各种射频和微波系统中,包括但不限于:
  - 无线通信基站中的收发信机切换
  - 卫星通信系统的多路复用
  - 雷达系统的信号路径选择
  - 测试测量仪器中的射频信号路由
  - 医疗成像设备中的高频信号控制
  - 宽带网络基础设施中的信号分配与管理
  由于其高频能力和稳定性,这款芯片也常被用于航空航天领域的复杂电子系统中。

替代型号

GA0805A221GXABR31G
  GA0805A223GXABR31G
  SKY13342-375LF
  HMC374LP4E

GA0805A222GXABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-