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IXFH130N15X3 发布时间 时间:2025/8/6 12:20:07 查看 阅读:27

IXFH130N15X3 是一款由 Littelfuse(前身为 IXYS Corporation)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件主要用于高功率密度应用,例如电源转换器、电机驱动、不间断电源(UPS)以及工业自动化设备。该 MOSFET 采用 TO-263(D2Pak)封装,具有良好的热性能和电流承载能力,适合表面贴装。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压 Vds:150V
  连续漏极电流 Id @25°C:130A
  导通电阻 Rds(on):5.8mΩ(典型值)
  栅极电荷 Qg:250nC(典型)
  最大功耗 Pd:300W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-263(D2Pak)

特性

IXFH130N15X3 的核心特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流条件下功率损耗显著降低,提高了整体系统效率。其 150V 的漏源电压额定值使其适用于多种中高压功率转换应用,同时具备良好的抗雪崩能力,增强了器件的可靠性。此外,该 MOSFET 具有高电流容量和优秀的热管理性能,能够在高功率密度环境下稳定工作,适用于高温运行条件下的工业级应用。
  由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,IXFH130N15X3 在开关性能方面表现出色,具有较低的开关损耗,适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。栅极电荷(Qg)相对较低,有助于减少驱动电路的功率需求,同时加快开关速度。TO-263 封装设计支持表面贴装工艺,提升了生产效率并降低了制造成本。此外,该器件具备良好的短路耐受能力,提高了在极端工作条件下的稳定性。

应用

IXFH130N15X3 广泛应用于多种高功率电子系统中,例如:
  ? 直流-直流(DC-DC)转换器
  ? 不间断电源(UPS)
  ? 电机控制和驱动器
  ? 电池管理系统(BMS)
  ? 逆变器和工业电源
  ? 电信和服务器电源
  ? 高功率负载开关
  该器件的高电流能力和低导通损耗特性使其成为高性能功率转换系统中的理想选择。

替代型号

IXFH130N15T2, IXFH130N15U2, IXFH120N15X3

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IXFH130N15X3产品

IXFH130N15X3参数

  • 现有数量43现货1,350Factory
  • 价格1 : ¥94.68000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)130A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9 毫欧 @ 65A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)80 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5230 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)390W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3